Iterasi kelima dari teknologi DDR, yang disebut DDR5, akan diluncurkan akhir tahun ini. Banyak pembuat teknologi DDR4 mengumumkan rencana mereka untuk beralih ke standar baru, Tidak terkecuali CORSAIR. Dikenal sebagai pembuat produk berkualitas tinggi, CORSAIR baru-baru ini memposting blog yang menampilkan produk DDR5 mereka yang akan datang, dan apa yang akan mereka hadirkan.
Sebagai permulaan, pabrikan telah memposting data tentang modul DDR5 yang berjalan pada kecepatan 6400 MHz, yang diasumsikan sebagai kecepatan standar modul CORSAIR DDR5 saat mereka tiba. Pada kecepatan seperti itu, memori DDR5 dapat mencapai bandwidth 51 GB / dtk, yang hampir dua kali lipat dari 26 GB / dtk yang dicapai memori DDR4-3200 MHz.
Hal lain yang ditulis CORSAIR adalah kapasitas satu DIMM. Dengan DDR4, perusahaan telah membuat DIMM yang hanya berkapasitas hingga 32 GB. Namun, dengan DDR5, CORSAIR berencana untuk melipatgandakannya dan membangun DIMM DDR5 tunggal dengan memori hingga 128 GB.
Poin besar lainnya adalah daya yang dibutuhkan untuk menjalankan teknologi baru. Standar DDR4 membutuhkan 1,2 Volt untuk pengoperasiannya, sedangkan spesifikasi JEDEC mengatakan bahwa DDR5 hanya membutuhkan 1,1 Volt untuk beroperasi. Ini akan menghasilkan pengoperasian modul memori yang lebih dingin.
Tentu saja, standar DDR5 membutuhkan platform baru untuk dijalankan. Saat ini, hanya platform Intel Alder Lake-S yang akan siap DDR5 akhir tahun ini, ketika standar baru tersedia untuk konsumen. Selain itu, CORSAIR telah menerbitkan lebih banyak informasi tentang manfaat dari standar baru, yang dapat Anda lihat di bawah ini.
FURTHER REFINEMENTS
With DDR5, individual modules are split into two separate channels by design, allowing for shorter traces that contribute to less latency and higher speeds when it comes to communicating with individual memory ICs on a memory module. This also allows for what’s referred to as command/address mirroring since the signal from the CPU has to travel a shorter overall path to access specific banks of memory whereas in DDR4 a command/address signal had to travel through all banks of memory in a longer chain.
On DDR4, when a single bank of memory needed to be refreshed, the CPU had to wait for all banks of memory on a module to refresh before doing another read or write. With DDR5, we’ve got double the bank groups and when a bank needs to be refreshed only the same bank of each group is refreshed, allowing for the other memory bank groups to be accessed without the CPU having to wait.
Overall single access latency with DDR5 is relatively unchanged, while CAS Latency has increased, the overall latency of a top-tier DDR5 kit will be similar to previous generations of DRAM clocking in at 14-15ns thanks to the improvements we previously mentioned.
ON-DIE ECC
Reliability goes down as process technologies shrink, resulting in higher latency and looser timings overall at higher speeds. DDR5 features on-die ECC as part of its spec, helping to reduce errors and allow for memory ICs to operate at higher frequencies. To be clear, this doesn’t mean that mainstream DDR5 is using a full-fledged ECC implementation, there’ll still be unregistered modules for typical consumer applications and ECC modules for enterprise/research applications.
Corsair
Sumber: CORSAIR Blog, CORSAIR DDR5 Primer (PDF)
