GIGABYTE Mengungkapkan Motherboard B660/H610 Berfitur Terbaik

0
76

overclockingid – GIGABYTE TECHNOLOGY Co. Ltd, produsen motherboard, kartu grafis, dan solusi perangkat hardware terkemuka, hari ini mengumumkan motherboard B660 dan H610 yang menghadirkan platform tangguh serta fleksibel bagi pengguna. Menampilkan hingga 16+1+1 fase desain DrMOS VRM dengan setiap fase menampung hingga 60 amp dan desain termal yang sepenuhnya tertutup, jajaran GIGABYTE B660 dan H610 dapat dengan sempurna mendukung prosesor Intel® Core™ Generasi ke-12 terbaru. Dua konfigurasi memori DDR4 dan DDR5 dengan fungsi XMP yang menarik memberikan kinerja yang luar biasa, serta kinerja penyimpanan yang unggul, ekspansi, dan jaringan yang fleksibel, jajaran GIGABYTE B660 dan H610 menghadirkan kinerja luar biasa di luar ekspektasi pengguna.

Dimulai dari chipset B560, Intel® menghadirkan fitur overclocking memori ke chipset B660 terbaru dengan dukungan DDR4 dan DDR5 yang disukai pengguna pada B-series. Guna mengaktifkan daya yang stabil untuk CPU di bawah operasi kecepatan tinggi dan untuk meningkatkan overclocking XMP pada memori, motherboard seri GIGABYTE B660 AORUS dan GAMING mengadopsi fase daya hingga 16+1+1 dengan masing-masing fase 60Amp. Jajaran AORUS juga melengkapi heatsink berpenutup penuh dan bantalan termal 5 W/mK untuk pembuangan panas tingkat lanjut dan peningkatan stabilitas di area VRM.